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型号 IPI100P03P3L-04
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
IPI100P03P3L-04 PDF
代理商 IPI100P03P3L-04
产品变化通告 IP(B,I,P)100P03P3L-04 Discontinuation 14/Aug/2009
标准包装 500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.3 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.1V @ 475µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 9300pF @ 25V
功率 - 最大 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装 PG-TO262-3
包装 管件
其它名称 SP000311117
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